深亚微米相关论文
随着集成电路的高速发展,芯片集成度不断提高,工艺尺寸越来越小,金属互连线的寄生效应带来的串扰和电压降等信号完整性问题成为电......
报道用远紫外准分子激光进行亚微米光刻的实验结果。以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
随着VLSI集成电路技术的快速发展,设计快速、准确的GHz时钟电路CAD工具已成为21世纪集成电路物理设计的前沿课题之一,该文围绕着这......
半导体器件是构成现代电子设备的基本元件,和摩尔定律预测的结果一样,电路的集成程度越来越高,新材料和新工艺的更新周期很短,使人......
绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应......
随着半导体工业的发展,上世纪九十年代在深亚微米半导体工艺中开始应用的铜互连线技术取代了传统的铝布线工艺。在铜的电沉积过程......
随着集成电路技术的发展，新工艺不断出现，特征尺寸不断减小，ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOSESD防护特性及其影响......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
(根据赵纶先生的讲话录音摘要整理,并经赵纶先生审阅修改)深亚微米制造工艺技术的发展,为进一步缩小电子产品的体积,重量,提高其性......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以一款基于HJTC 0.18μm工艺的YAK SOC芯片为例,根据其时钟结构,提出一种能有效减小时钟偏移的方法,该方法通过在门级将时钟根节点......
简介rn传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于......
一、主要技术内容rnCMOS硅外延技术主要来源于“九五”国家重点科技攻关计划项目“亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料”,......
静态随机存储器SRAM是数字系统的最重要部件之一,深亚微米工艺制造技术使得高速低功耗大容量SRAM成为可能.本文结合90nm工艺条件下......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点......
文章以相位噪声(Jitter)为核心讨论芯片设计领域深亚微米效应理论。文章在介绍相位噪声的定义、定量描述、来源以及前人的研究工作......
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