击穿电荷相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

击穿电荷相关论文

硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化

采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......

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硼扩散薄栅介质性能退化阈值电压多晶硅栅多晶硅掺杂杂质扩散深亚微米开关特性击穿性能击穿电荷工艺过程短沟效应可靠性界面态电应力器件

薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究

通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不......

期刊

薄栅氧化层经时击穿衬底热载流子击穿电荷模型

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