多晶硅栅相关论文
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
本文主要对晶圆制造生产线上,多晶硅栅刻蚀工艺在工作中所碰到的刻蚀残留所造成的良率低下和线上缺陷检测异常的案列,进行深入的分......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.......
DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件，它具有提高驱动电流，提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷......
