快速热退火相关论文
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有优异的光电特性,在紫外光电探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、5G射......
学位
Al掺杂ZnO（AZO）薄膜由于具有优异的光学性能和良好的电学性能、制备成本低、对环境友好、能够应用于柔性器件等优点,在太阳能电池、......
随着5G的到来,网络的交互行为将变得更加频繁,数据的上传和下载量将是之前4G时代的数倍。这也就表明了无论是服务器还是云都需要比......
β-FeSi2是一种新型的半导体材料,其带隙宽度为0.81-0.87 eV,对应的发光波段为1.5μm。由于β-FeSi2制备工艺与Si基工艺具有良好的......
半导体激光器因其体积小,波长可调节和可靠性高等优点,被广泛应用在大气监测、激光测距、空间通信、激光手术和激光美容等领域。其......
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元，其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSb II......
研究了快速热退火(RTA) 对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800 ℃时,材料晶体质量和光致发光(......
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
采用刻蚀技术形成台面结构的红外探测器光敏元,其表面漏电流和器件热稳定性与半导体蚀刻表面的特性密切相关。对制备的InAs/GaSbⅡ......
本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用......
对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为......
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,......
I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱......
本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS......
采用磁控溅射在Si/SiO2衬底上制备了Pt/Dy2O3/Pt阻变器件(RRAM),研究并分析了快速热退火对Pt/Dy2O3/Pt器件阻变特性的影响.通过原......
期刊
ITO(氧化铟锡)薄膜是一种重掺杂、 高简并的N型半导体材料,具有较高的可见光透过率、 导电率、 机械物理硬度和稳定的化学性质.由......
建立了计算机控制的快速傅立叶深能级瞬态谱测试系统,对该方法所存在的问题进行了研究,并提出了新的方法.相对于传统深能级瞬态谱(......
探测器及其制造技术广泛地应用于军事、科技、民用等研究领域.随着越来越高的需求和半导体材料制备技术的发展,机械性能好、化学稳......
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,......
利用改进的solgel工艺,通过快速热退火和慢速退火两种方式在Si衬底上制备了PbTiO3多晶薄膜,并采用红外反射光谱对PbTiO3薄膜进行了......
研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的......
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法 .含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后 ,用拉曼散射和 X射线衍射技术对样品进行分......
近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器......
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火.研究了升温速率、降温速率对晶化的影响.结......
针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X......
采用变磁场霍耳测量,在１．５~９０Ｋ的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂ＭＭ－ＨＥＭＴ材料中二维电子气的输运特性通过对Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ(ＳｄＨ)振荡曲线进行快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变......
为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极......
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构......
采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_Si:H/SiO2 多层膜 .用快速热退火对......
系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升......
采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0......
报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为......
用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影......
利用能量为5—20keV、剂量为5×1014—5×1015cm-2的BF+2和As+注入硅中,以快速热退火激活杂质并控制杂质的扩散再分布,可以得到结......
