镍硅化物相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

镍硅化物相关论文

SiC晶圆背面激光退火工艺研究

降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......

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SiC 激光退火镍硅化物欧姆接触碳团簇

掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为......

期刊

镍硅化物快速热退火 x射线衍射分析卢瑟福背散射

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