【摘 要】
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报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相
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报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650-800℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650-800℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64-0.66eV,理想因子接近于1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.
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