SI GaAS中S~+注入的电学特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：welletboy

【摘要】

：

本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S+的快扩散和再分布不决定于S+或砷空位VAS的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热

【作者】

：

夏冠群关安民耿海阳王渭源

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年07期

【关键词】

：

砷化镓 32S+ 离子注入快速热退火扩散再分布

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本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S⁺注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S⁺的快扩散和再分布不决定于S⁺或砷空位V_AS的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S⁺在GaAs中的增强扩散,明显减小S⁺的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.

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