【摘 要】
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通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具有正温度系数,BSIT具有负温度系数,利用这两
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通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具有正温度系数,BSIT具有负温度系数,利用这两种相反的温度特性,使BJT-BSIT的温度特性得到了改善。实验和理论都表明采用这种器件结构,是实现晶体管宽温区工作的很好途径。
Through the layout design, bipolar transistor (BJT) and bipolar mode electrostatic induction transistor (BSIT) are successfully combined to form a BJT-BSIT combination transistor. The BJT current gain has a positive temperature coefficient and the BSIT has a negative temperature coefficient. Using these two opposite temperature characteristics, the temperature characteristics of the BJT-BSIT are improved. Experiments and theories have shown that the use of this device structure is a good way to achieve wide temperature region of the transistor.
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