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缺陷在决定材料性能方面发挥着重要的作用。特别是,在低维体系中,缺陷对材料的光子、电子的运动及其调控的作用更为显著。为了使二......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL......
通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是......
用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影......
