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全芯片相关论文

基于130 nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计

绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应......

期刊

深亚微米绝缘体上硅(SOI)工艺全芯片静电放电(ESD)防护电源钳位人体模型

以科学家研制出DNA计算机德开发出新型要全芯片日本开发出可伸缩的人造血管法国电讯研制成功多媒体披肩俄波共同开发出硬度极高的复合材料

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科学家计算机开发全芯片日本可伸缩人造血管法国电讯多媒体披肩硬度

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