短沟道效应相关论文
动态随机存取存储器（DRAM）具有低延迟、高带宽的特点，应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前......
自从全球进入信息化时代以来,随着电子科学与技术的不断发展成熟,第三代半导体材料逐渐展现出更加优秀的射频和大功率特性,成为半......
摩尔定律已经推动了半导体行业的显著进步。得益于较好的静电控制,鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)架构,作......
随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道......
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值......
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在......
提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构，以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(D......
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型......
通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的......
超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供......
