沟道长度相关论文
光电探测器是一种把紫外、可见及红外等光信号转化为电信号的光电子器件,已广泛应用于通讯工程,遥感,过程控制,天文学,国防等领域......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
对包头市城市防洪范围内的地形、水文和防洪设施现状详细地进行了分析,得出包头市城市洪涝灾害产生的原因,进而提出应对洪涝灾害的......
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪......
为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD。该器件的存储区采用漏斗形......
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
本文介绍了半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势。
This article describes the current status of semiconductor silicon mat......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值......
随着半导体工艺的不断提升,晶体管越来越小,其沟道长度也逐渐变小,漏电流成了棘手的难题,人们一度怀疑摩尔定律的有效性。然而,3D......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
