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FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
信息技术不断革新,集成电路沿摩尔定律不断发展,传统的半导体器件在尺寸变小,高速度运行的同时,需要更低的功耗。由于环栅（GAA）器件......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
寄生元件危害最大的情况rn印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感.例如:PCB的寄生电阻由元件之间的......
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要.......
介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物......
