寄生电感相关论文
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......
大功率电力电子器件是电动汽车逆变器的核心部件,极大地影响着电动汽车的动力性能和续航里程。基于第三代半导体材料SiC的功率半导......
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先，在ANSYS Simp......
高新技术发展时期下，SiC等新型半导体的应用，促使PCB设计正向着集成化、高效化方向发展。优化设计从高频率、高密度两个方面为PCB设......
期刊
在分立器件并联型碳化硅逆变器中，主功率回路叠层母排的设计需满足低寄生电感、外电路对称及器件均温的目标。然而，现有叠层母排的结......
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
目前商用DrMOS多采用引线键合方式互连,然而引线键合会产生大量寄生电感,生产效率低.针对上述问题,应用面板级封装(PLP)技术,提出......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问......
为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心,因此半导体器件的性能往往也决定着整个变换器的性能。新型宽禁带GaN材料器件与传统Si器件......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛,随着其输出电流的增大,抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性......
本文研究了常用IGBT逆变器吸收电路的基本工作原理,在此基础上,利用Ansoft Simplorer软件进行仿真并分析了线路寄生电感、吸收电阻......
会议
寄生元件危害最大的情况rn印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感.例如:PCB的寄生电阻由元件之间的......
大功率IGBT器件通过并联多个IGBT芯片来获得大电流等级,并联芯片动静态电流分布的一致性对于提高器件电流等级以及可靠性至关重要.......
