共源共栅相关论文
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺设计并制备了一款2～18 GHz的超宽带低噪声放大器（LNA）单片微波集成电路（MMIC）。该款放......
采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺设计并制造了一款新型达林顿放大器芯片。该达林顿放大器第二级采用了共源共栅结构,引入了负......
射频功率放大器的能耗占据整个射频前端能耗的主要部分,其效率对整个前端系统的效率影响巨大,同时高带宽利用率的调制方式对功率放......
为了实现低噪声、高线性度、中功率的指标特性,设计了一款基于GaAs pHEMT工艺的2.5～4.3 GHz驱动功率放大器(power amplifier,PA),该......
期刊
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器......
激光器驱动电路是光通信系统中发射端的重要部件,为了适应高速电/光转换的需求,基于28 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了......
摘 要：文章通过分析共源共栅功率放大器的基本原理，提出了一种新颖的基于cascode级间电路结构，通过优化电路级间的阻抗匹配的设计思路......
随着人工智能和集成电路行业的迅速发展,各种各样的智能家居和便携式电子产品涌进了广大人们的生活中,它们不仅改变了人们的生活娱......
基于0.25μm GaAspHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器.该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结......
首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关......
期刊
光接收机是光通信系统的重要组成部分，而前置放大器作为光接收机的关键模块，其性能很大程度上决定了光接收机乃至整个光通信系统的性......
随着便携式电子产品的迅速发展,直流稳压芯片也越来越重要,低压差(Low Dropout,LDO)线性稳压器由于具有输出稳定、电压纹波小等优......
设计了一种2.4 GHz低功耗可变增益跨阻放大器。该放大器为两级放大结构,主要应用于电流模式发射机后端的电流-电压信号转换及放大......
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路。采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电......
由于CMOS晶体管的特征尺寸急速的缩放,CMOS晶体管的参数不断改进,使得最新CMOS晶体管获得的噪声系数足够低到足以应用到无线电天文......
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA)。整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源......
设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压.该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低......
