电源抑制比相关论文
针对电源管理类芯片对宽输入范围、高电源抑制比的需求，设计一款新型带隙基准电路。外部电源经两级限压限流得到核心基准模块的电源......
本文基于标准SMIC 65nm工艺，设计了一款输入电压为2.5V，输出电压为1.217V的带隙基准电路。本文首先介绍了传统的带隙基准电路工作原......
为改善无片外电容LDO（Capacitor-Less Low-DropOut regulator,CL-LDO）的电源抑制比（Power Supply Rejection,PSR），本文提出一种低静态电......
当今社会是一个集成电路产业和半导体制造工艺技术极速发展的社会,对于作为集成电路关键模块之一的带隙基准,人们发现传统带隙基准......
近年来由于集成工艺水平的提高，电路设计技术的不断改进，模拟集成电路的设计得到较大的进展，同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着......
现代高能物理实验的顶点探测器的功耗和散热逐渐成为在顶点探测器芯片设计时考虑的主要因素。提高顶点探测器芯片工作的温度可以缓......
采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低压差线性稳压器(LDO).分析了传统LDO在重载高频下电源抑制比(PSR)的缺陷,提出一种带有多级缓......
随着数字通讯技术的不断发展,模数转换器作为连接模拟信号与数字信号之间的纽带,在集成电路产业中得到广泛应用。在众多结构的ADC......
随着手机的不断普及和手机功能的不断增加，对电源管理的要求也更加复杂和严格。目前，电源管理集成电路市场大部分被国外产品占据，研究......
带隙基准源是模拟集成电路中一个重要的单元。它为其它功能模块，比如偏置电路，参考电路提供高精度的电压基准，或由其转化的高精度电流......
随着模拟集成电路的快速发展以及半导体制造技术的迅猛发展,使得芯片的集成度大幅提升以及芯片成本的降低,与此同时也给IC设计者带......
激光三维成像技术目前已广泛应用于地形测绘、构建虚拟环境、城市建模、军事侦察等领域。车载三维激光成像雷达是ADAS的核心部件,......
摘要：设计一种低压共源共栅带隙基准源，具有结构简单、面积小、电源抑制比较高等特点。該电路采用CSMC 0.35um cMOs工艺，用cadence中......
针对集成电路中需要多路不同基准电流的问题,设计了一种高性能的双极型基准电流源.分析了传统带隙基准源的基本原理,并对传统电流......
本文设计了采用曲率补偿,具有较高的温度稳定性的高精度带隙基准电压源。设计中没有使用运算放大器,电路结构简单,且避免运算放大......
设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比......
传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准......
期刊
设计了一种输出电压为0.72 V、带曲率补偿的带隙基准电路,该电路适用于收发器等数模混合电路.基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,对电路......
设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源。该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温......
根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,......
设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5 V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电......
设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的......
本文提出了一种基于双极性工艺的高性能带隙基准电压源的设计.该电路结构简单,性能优异.用Spectre进行仿真,结果表明,在-50～90 ℃的......
在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪......
设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路,通过Hspice验证,具有2.28(10-6K-1的温度系数,在(V=10V的宽电源电压幅度范围......
