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金刚石与氧化锌（ZnO）都是非常重要的宽带隙半导体材料，具有许多优异的化学和物理性质，两者组成的复合结构在半导体异质结、生物电极和......
近年来,电阻式随机存储器（Resistive Random Access Memorizer, RRAM）由于结构简单、耗能低、存储密度高以及与半导体CMOS工艺兼容性......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
本论文利用磁控溅射法制备了钙钛矿锰氧化物(La1-xSrxMnO3,La1-xCaxMnO3)基异质p-n结,并主要研究其电学、磁学性能。主要工作包含......
以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO_2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO_2进行表征与结构分析。结果表明......
近年来,分子器件的研究已发展成为科技界极具竞争力的新兴研究领域之一,较传统行业的电子技术相比较,它具有更快,更小,更冷的优势,......
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......
用等离子增强化学沉积方法在柔性不锈钢(stainlesssteel—SS)衬底上制备了n-i-p非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，重点研究了叠层电池隧穿......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学陛质，如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力、不易与铁族金属反应、可n型掺杂也可p型掺......
碱土金属(如Sr，Ca)掺杂的钙钛矿锰氧化物属于典型的强关联电子体系。其中，由于电荷，自旋，轨道自由度之间强烈的耦合作用，表现出庞磁电阻......
具有纤锌矿结构的ZnO是一种直接宽带隙的n型半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.4eV，激子结合能高达60meV，这些独特的性质引起了人们......
在生命体内存在的一维的纳米通道结构在生物结构和功能方面发挥着重要的作用，其中最典型的代表是生命体内的离子通道。科学家在对自......
本论文研究工作是围绕课题组承担的国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No：2010CB327600)、国家自然科学基金重大国际(地区)合......
最近,半导体基磁电阻器件的研究由于其在电子工业一体化中有着长远的应用前景和学术意义而倍受人们的关注。本文主要研究了关于硅......
立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理化学性质，如高硬度、宽带隙、高热导率、高热稳定性和化学稳定性，可进行n型掺杂也可进行p型掺杂。在......
本论文首先介绍了分子器件、分子整流器的研究背景、国内外发展现状、主要的研究方法及基本理论。在此基础上,我们重点研究了分子......
分子电子学具有在分子尺度构建逻辑电路的可能,是未来信息技术发展的最佳载体,分子整流器是实现分子电子线路的基本元件,且具有重......
学位
2004年，Novoselov等人成功制备出石墨烯，为发展高性能碳基纳米电子器件提供了新的契机，目前石墨烯在电子学中的应用研究已成为其高端......
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较......
采用磁控溅射法在Si衬底上通过改变沉积顺序制备两类异质PN结:La0.8Sr0.2MnO3/TiO2和TiO2/La0.8Sr0.2MnO3,并时其进行电学性能研究......
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对......
采用磁控溅射方法,首次在n型Nb0.01SrTi0.99O3单晶衬底上成功制备出La0.7Sr0.3MnO3/Nb0.01SrTi0.99O3异质p-n结.电学性能测试表明,......
