VO_(2)/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

• 作 者: 李军显 李毅 周建忠 田蓉 刘进
• 机 构: 上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室
• 出 处: 光学仪器
• 发表日期: 2021年2期
• 关键词: VO_(2) GAAS 半导体−金属相变 异质结 整流特性
• 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z348),教育部科学技术研究重点项目(207033),上海市科学技术委员会科技攻关计划(06DZ11415),上海市教育委员会科技创新重点项目(10ZZ94),上海领军人才培养计划资助项目(2011-026)。

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO₂/p-GaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO₂/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO₂薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO₂/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值