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碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
电动力绳系是一种新型的空间推进系统,它能够利用地球外围空间磁场和等离子层环境实现在无需或极少需要推进剂的条件下就产生推力,......
4H-SiC MOSFET具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点，在军用和民用领域前景广阔。但由于4H-SiC/SiO2界面态密度高，导致......
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-......
采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为......
通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金......
通过分析以PMMA[poly(methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响。PMMA薄膜通过......
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT......
采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O......
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