同质外延相关论文
阐述4H-SiC同质外延生长过程中出现的三角形缺陷。基于三角形缺陷的成核原理，对外延层结构和生长参数进行改进，从而在4H-SiC衬底与外......
采用化学气相沉积法进行6英寸（1英寸=2.54 cm）厚层4H-SiC同质外延片的快速生长，通过对工艺中预刻蚀、碳硅比（C/Si）和温度等关键参数优化......
本文研究了在反应气体中引入不同浓度的CO2对微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法同质外延生长单晶金刚石内应力的影响，并对其作用机理......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
“十四五”规划提名集成电路,重点攻关碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体。相比于Si和Ga As,碳化硅（SiC）材料同时具有宽的禁带（3～3.3e V）、......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
借助专业长晶模拟软件FEMAG和自主开发的对流、传质、过饱和度及生长速率预测等有限元模块研究了物理气相传输法（PVT）同质外延生长氮......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长......
GaN材料因其宽禁带、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高温、抗辐照等特性,并且可通过极化效应形成二维电子气(2DEG),基于GaN异质结......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
介绍了ＳｉＣ材料的生长及器件制备技术，分析了目前ＳｉＣ器件及集成电路等方面的研究现状，并讨论了存在的各种问题．
The growth of SiC material......
本论文通过理论推导和计算机模拟,对ABO_3型氧化物薄膜的生长机制进行了较为深入的研究,并利用所得的规律指导实验。论文研究工作......
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原......
采用热壁化学气相沉积法在4英寸4H-Si C衬底上进行同质外延生长,研究硅烷流量、温度的变化对外延生长速率、表面形貌以及表面缺陷......
