结晶质量相关论文
太赫兹技术的不断发展和在各个领域的进一步应用，对碲化锌（ZnTe）电光晶体提出越来越高的要求。采用Te溶剂法生长碲化锌晶体，可以有效降......
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量......
钙钛矿材料具有窄带隙宽度、高载流子迁移率和溶液可处理加工性等特点,已经被广泛用于钙钛矿发光二极管和太阳能电池等一系列光电......
本文基于自主设计的氮化铝生长炉，开展了四组不同工艺条件下Al极性面氮化铝籽晶同质外延生长氮化铝单晶的生长特征及其结晶质量表征......
The growth of a Mn-doped LiAlO...
金属卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电特性和可溶液法制备的特点，引起了科研工作者们的广泛关注。经过近十年的发展，单结钙钛矿太阳......
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......
第三代半导体材料典型代表β-Ga_2O_3,是一种具有宽禁带特性的半导体材料,不仅具有优良的光电特性,还具有较好的热稳定性和良好的......
薄膜太阳能电池因其效率高、可柔性和成本低等优点,引起了科研人员的广泛关注。其中铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳能电池因其原料储......
钙钛矿太阳电池以其优良的光电特性、高光电转换效率、低成本以及可大规模生产而得到了广泛的研究。目前,钙钛矿太阳电池的最高认......
氧化锌是一种直接带隙宽禁带半导体材料,晶体主要以离子键相结合,由于ZnO晶体结构的对称性较低,因此能带结构较为复杂。室温下禁带......
铁电/铁磁复合磁电材料是由铁电相和铁磁相的材料复合在一起,并同时具有铁电性和铁磁性,因铁电相与铁磁相之间的界面耦合作用而具......
作为常用的低温超导材料,铌金属超导转变温度(rC)可达9.3 K,铌薄膜的最高TC值也接近这一温度。铌薄膜因其导电性好,化学性质稳定,......
六方氮化硼是重要的宽禁带半导体材料，其带隙宽度超过6eV，具有优异的物理化学性质，如优异的热导性，高电阻率，高的微波与红外的透过性和......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，在光电器件等领域有着巨大的应用前景。要实现氧化锌在光电等领域的实际......
为实现双色探测的目的,我们在探测薄膜材料结构设计中,提出将GaAs和GaN两种材料外延生长一起构成异质结薄膜,利用GaN带间吸收实现......
学位
自从石墨烯材料被发现以来,其独特的性质以及在电子器件方面的应用前景,吸引着越来越多的科研人员研究二维纳米材料。由于六方氮化......
ZnO是一种新型的II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料,ZnO纳米材料兼具纳米材料特性和半导体材料两方面的独特性质,在液晶显示器、太......
ZnO是一种宽禁带半导体,在光电子、自旋电子和透明电子薄膜等诸多领域具有潜在的应用前景。最近研究发现,在ZnO中掺杂Co等3d过渡族......
氮化硅薄膜是一种具有十分优良的物理化学性质的介质膜,具有优良的化学稳定性,高电阻率,良好的绝缘性和光学性能,广泛地应用于半导......
现代通信系统和设备微型化、高频化、高性能、高可靠性的发展趋势对薄膜声表面波(SAW)器件提出了更高频、更大带宽、更高耐受功率......
纳米线、纳米带和纳米棒作为新型的一维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路将......
SiC材料是一种非常有前途的半导体材料，经过科研人员的不断努力单晶品质取得了长足的进步，但是目前仍存在各种问题，其中微管缺陷是一......
以Ⅲ族氮化物为研究对象的固体发光技术，带动了与之密切相关的蓝光、绿光和发光二极管（Light-emitting Diode，LED）照明与紫外探测器......
InGaN太阳电池作为一种新型高效太阳电池，其吸收光谱几乎覆盖了整个太阳光谱，因此p-i-n结构InGaN太阳电池越来越受到人们的重视。然......
石墨烯以其优异的性质展现出广阔的应用前景,已经成为最热点的研究领域之一。高质量的石墨烯制备成为材料性质研究和新应用开发的......
通过适当的工艺措施 ,采用Bridgman法生长了直径为 30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭 .测试结果表明 :该晶锭结晶......
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