GaAs/GaN双色探测薄膜结构设计与光电特性

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【摘要】

：

为实现双色探测的目的,我们在探测薄膜材料结构设计中,提出将GaAs和GaN两种材料外延生长一起构成异质结薄膜,利用GaN带间吸收实现紫外光电探测,同时,利用GaAs自由载流子对红外光信号的吸收受异质结能带(势垒高度)束缚作用实现红外光电探测。为此,本文对GaAs/GaN双色探测薄膜的能带结构和光电性能进行了研究。利用MBE技术制备了GaAs/GaN薄膜材料,并通过X射线衍射方法分析了GaAs/Ga

【作者】

：

王东博

【机构】

：

哈尔滨工业大学

【发表日期】

：

2009年06期

【关键词】

：

GaAs/GaN薄膜 MBE 伏安特性光电响应

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