Ⅲ族氮化物相关论文
二维二硫化钨由于具有较高的激子结合能、可调的光学带隙、高的载流子迁移率和较强的自旋轨道耦合等优点,在光电子器件和逻辑电子......
Ⅲ族氮化物紫外发光二极管（Ultraviolet Light-Emitting Diode,UV LED）在杀菌消毒、医疗、气体传感和聚合物固化等领域具有广阔的应......
氮化物发光二极管（Light emitting diodes,.LED）在21世纪初取得了重大的突破,在通用照明领域取得了广泛应用,并逐渐取代白炽灯和日光......
目前信息的光和磁光记录与读出系统是非常重要的产品，它占高速增长的半导体激光市场的五分之一（2000年为60亿美元，增长率为108%）。这部......
发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)具有体积小、能耗低、坚固耐用、高效环保等诸多优点,其主要制作材料为Ⅲ族氮化物。目前......
Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......
Ⅲ族氮化物的二维纳米材料因其独特的电子结构、良好的稳定性和优良的光电性能,在通讯、能源、半导体器件、光电子等领域展现出巨......
以Ⅲ族氮化物为研究对象的固体发光技术，带动了与之密切相关的蓝光、绿光和发光二极管（Light-emitting Diode，LED）照明与紫外探测器......
具有较宽带隙的Ⅲ族氮化物是制备蓝光到紫外光波段发光器件的理想材料,近十多年来成为人们研究的热点.具体来说,Ⅲ族氮化物包括AlN......
Ⅲ族氮化物具有宽的直接带隙，是非常重要的半导体材料，在制备电子和光电子器件领域具有广泛的重要应用。Ⅲ族氮化物微纳米材料的的合......
随着传统能源的枯竭和环境问题的恶化，作为可再生能源的太阳能已经在近几年取得了突飞猛进的发展，太阳能光伏发电等新型可再生能源将......
Ⅲ族氮化物以其具有宽广直接带隙的突出特点,成为开发短波长、高速度光电子器件最重要的半导体材料之一。随着氮化物技术口益成熟,......
激光在如今的LED革命中正变得越来越重要,成为提高LED的发光效率和降低制造成本的必要工具。准分子激光器提供了独特的大面积均匀......
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在......
Ⅲ族氮化物在光显示、光照明等光电子器件领域有广阔的应用前景,在光显示和光照明方面,用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全......
Ⅲ族氮化物已经发展了众多原子间相互作用势,但这些原子间相互作用势的适用范围或多或少都有一定的局限性.本文介绍了氮化物原子间......
采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延......
利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石......
利用Silvaco软件中的蒙特卡罗算法,详细研究了Ⅲ-氮化物的速-场特性和低场迁移率特性,数值计算了掺杂浓度和晶格温度对Ⅲ-氮化物输......
用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测......
