深紫外发光二极管相关论文
覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......
基于Ⅲ族氮化物材料的深紫外发光二极管（LED）具有体积小、低功耗、寿命长、波长可调和环境友好等优点,有望代替传统的紫外汞灯光源,......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较......
波长≤280nm的深紫外光源有两大类,气压放电紫外光源和深紫外发光二极管.低气压放电紫外光源材料、制造技术相对成熟,占据应用市场......
Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二......
