Mg掺杂相关论文
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
锰基正极材料凭借其较高的比容量、丰富的资源以及对环境污染相对较小等优点成为了钠离子电池中研究最多的正极材料之一。经过这些......
钙钛矿结构的稀土锰氧化物以其庞磁阻现象和自旋-电荷-轨道间的相互作用而产生的丰富物理内涵而备受瞩目。尽管人们已对此进行了大......
由于Nb3Al材料具有比Nb3Sn更高的超导转变温度（Tc）、上临界场(Hc2)、临界电流密度（Jc）,以及在高场下更良好的抗应变特性,是未来磁约束......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
随着社会和经济的快速发展,人们面临着资源枯竭和环境污染等问题。相对于煤炭及石油化石能源,天然气是一种更为清洁的能源,但是其......
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
气敏传感器可以检测环境中的特定气体,在易燃、易爆、有毒、有害气体的检测中应用非常广泛。气敏材料对气敏传感器的性能有着至关......
热敏电阻是一类电阻率随温度上升而呈指数性下降的材料,因其具有这种特殊的电学性能使得该材料可以应用到各种温度测控领域。此外,......
本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在石英及SiO2/Si衬底上生长了 MgZnO薄膜,研究了不同Mg含量靶材、衬底温度、氧气压强以及氧气流量等对......
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试......
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL......
锂离子电池因其能量密度高、循环寿命长、工作电压高和无记忆效应等特点受到广大研究工作者的青睐,其中正极材料是决定锂离子电池......
P型金属氧化物透明导电材料在发光与显示、太阳能电池等方面有着广泛的应用。与二元P型金属氧化物相比,具有ABO2铜铁矿结构的三元P......
本研究采用有机液相合成法制备ZnO量子点。用HRTEM、XRD、XPS等表征手段对不同条件下合成的ZnO材料进行表征并分析;用合成的ZnO材......
层状铜铁矿CuCrO2是一种宽禁带（3.2 eV）透明导电氧化物,由密排Cu层和CrO6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,自发形成Cu空位产生的空穴......
氮化镓(Ga N)是一种具有直接宽禁带的半导体材料,具有较高的电子迁移率、良好的耐高温能力、优异的抗击穿能力以及出色的抗辐射能......
纳米线、纳米带和纳米棒作为新型的一维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路将......
氧化镍是具有典型的3d电子结构的氧化物半导体,是一种p型半导体材料,禁带宽度是在3.6～4.0eV之间。因为氧化镍薄膜具有优良的光电特......
正极材料LiNi0.5Mn1.5O4以其较高的容量和4.7V高电压放电平台成为新一代商品化锂离子电池材料的最佳候选。本文围绕离子液体作用下......
为了揭示Mg掺杂影响ZnO带隙的物理机制及高压对ZnO微结构、电子结构和发光性质的影响机理，本论文采用MaterialsStudio计算软件中的C......
钒基尖晶石AV_2O_4体系中存在着自旋、轨道、晶格等多种作用相互耦合,成为了研究强关联体系的热点课题。其中MnV_2O_4因为A位的Mn......
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理......
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、室......
利用溶胶-凝胶法成功制备了Mg掺杂Pb0.4Sr0.6MgxTi1-xO3-x薄膜,利用x射线衍射仪对薄膜的物相和结构进行了分析,用扫描电子显微镜对......
