GaN薄膜相关论文
二氧化钒（VO2）具有独特的可逆半导体-金属相变特性（SMT）,在68℃的临界温度下,从低温单斜晶相（P21/c）的半导体态变化到高温四方晶相（P42/mn......
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量......
g-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合g-LiAlO2的基本性......
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的......
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
近年来,类石墨烯层状二维(2D)材料二硫化钼(MoS_2)由于具有良好的光电性质和机械性能引起了人们的广泛关注,有望成为开发下一代微......
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学汽相沉积技术在石墨衬底上低温沉积制备出高质量GaN薄膜,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N......
宽禁带半导体GaN及其合金材料在短波长发光器件、短波长激光器以及高温、大功率、高频电子器件等方面有着广泛的应用前景。由于GaN......
GaN是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料，具有宽的直接带隙，室温下禁带宽度为3.39eV；GaN具有强的原子键、高的热导性等性质以及强的热......
近年来，尽管GaN基光电子材料和器件得到迅猛发展，但对材料本身的研究还很不充分，GaN基材料生长和性能研究方面还需做大量工作，仍存在一......
近年来，GaN以其优异的光电性质而被广泛应用于短波长光电器件、全色发光显示器、光探测器、高电子迁移率晶体管和大功率电子器件。......
Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
纳米材料和纳米技术是20世纪80年代末迅速崛起的一门新学科,它是以尺寸在1～100nm范围的物质或结构为研究对象的学科。科学家们预测......
薄膜材料的生长取决于生长界面的表面动力学过程,它集中体现在原子在表面上的粘接,扩散和蒸发,决定着成核、生长及岛之间的相互作......
日本京都工艺纤维大学试制的太阳能电池单元。在p型GaN薄膜中添加Co,并层叠n型材料。带吸收层的电池单元的尺寸为10mm见方。周围的......
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射(XRD)、傅立叶......
提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发......
提出了一种新的光谱——吸收归一化光致发光激发谱,并用这种光谱研究了非掺杂GaN的黄光发射.实验上首次直接测量出了黄光发射的初......
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长......
采用脉冲激光双光束沉积系统在Si(111)衬底上生长了掺Mg的GaN薄膜和未掺杂GaN薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、原子力显微镜 (AFM)、室......
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学......
本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法,在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜,然后在95......
γ-LiAlO2与GaN的晶格失配很小,易于分离,在其(100)面上能生长出无极性的GaN,是一种很有希望的GaN衬底材料。结合γ-LiAlO2的基本......
用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延 (MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析 .发现红外分子束外延 (RF MBE)......
采用椭圆偏振光谱法,在1.50～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌......
报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的......
使用非线性最优化技术,用多个高斯函数叠加最优化拟合非掺杂GaN薄膜的宽的黄色发光带. 发现宽带黄色发光带可分解为三个高斯型谱的......
在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜......
使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生......
