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不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
红外物理与红外技术关系密切,下面举四点讨论一下这方面的问题。(1)红外器件的研制虽然这主要是材料制备和器件工艺问题,但实际上......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
功率放大器是Ka频段通信系统，特别是卫星通信系统中的重要器件。本文介绍了MMIC(单片微波集成电路)器件工艺。综述了近年来国内外对......
由陶瓷相与聚合物基体复合而成的热释电复合材料，兼具氧化物陶瓷材料热释电系数高和高分子聚合物热容小、介电常数低、柔性好、可加......
