直流特性相关论文
在对外太空的探索中,用于宇宙射线探测的半导体探测器的输出信号比较微弱,必须搭配前置放大电路使用。近几年第三代半导体正飞速发......
对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
设计并制作了用于超导量子比特直流特性测试的级联低通滤波器,该滤波器由LCR滤波器和铜粉滤波器级联而成.滤波器在77K温度下的截止......
本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
对新型双注入结型场效应器件的直流特性进行了较详细的分析 ,得出直流特性的解析表达式 ,证明这种器件由电压控制导电能力 ,具有较......
期刊
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度......
新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 P......
期刊
对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-J和......
研究了W-15wt％Cu电接触材料在直流条件电弧作用下电极表面元素分布、材料微观组织形貌；探讨了电接触材料在直流电弧作用下的转移和腐......
