扩散工艺相关论文
二氧化硅乳胶是一种新型的液态扩散源。为满足需要,本所除研制并生产掺杂单个元素的乳胶源外,还研制出几种掺杂双元素的二氧化硅......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串......
一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断地改善。本文以扩散工艺为例,同时在计算机上采用SUPREM-Ⅲ软件进行扩散初......
本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......
有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认......
本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几......
本文介绍了一种用固态磷扩散源作磷扩散的工艺方法与反应机理,工艺设备及扩散条件与结构参数的关系,同时实验地确定了该扩散工艺方......
一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
我们对隔离、基区制备两道工序,以相同条件进行低温预扩散,通过调整再分布的条件,获得隔离的深结和基区的浅结.此工艺减少和简化......
本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.
This paper introduc......
用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过......
TiNi形状记忆合金和纯钛由于其优良的性能而受到广泛关注,尤其是Ti Ni合金薄膜由于具有形状记忆功能而广泛的应用于微驱动行业,而......
随着科技水平的提高,人类对可再生能源不断深化认识,尤其是太阳能的开发和利用日益受到人们的重视。单晶硅太阳电池因其在转换效率......
对LN晶片进行了Sr2+扩散的实验研究,研究表明,LN晶体的Sr2+扩散宜选择LNLi:SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源,于950℃下扩散25h。Sr2+扩......
晶体硅太阳电池制作过程中磷扩散工艺对其电学性能存在一定的影响.本文通过Silvaco软件对单晶硅太阳电池的一步扩散和两步扩散进行......
本文通过生产实际案例，研究了SPC质量管理工具在半导体磷扩散工艺中的应用，运用SPC控制图判断准则，对生产过程中的质量异常情况进行了......
