正向压降相关论文
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
1 引言过去10年,电源拓扑发生了翻天覆地的改变。现在的电源都不再需要笨重的50/60Hz的变压器。在传统电源中,这些变压器占体积和......
本技术采用“导热—干道吸液热管—矩形肋片”的结构制成的风冷高效热管散热器系列,在迎面风速5m/s的条件下,散热功率分别达到1920......
快恢复、超快恢复二极管是近年来的新型半导体器件,具有开关特性好。反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
功率型LED已经越来越多地运用于航空照明领域,迅速准确地获得LED的结温对航空灯具的散热设计显得极为重要。介绍了一种运用小电流K......
近些年,第三代半导体材料SiC受到研究人员广泛地关注,这是由于SiC相比于Si具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场、更高的电子饱......
工程师们早就知道,只要把所有导线串联连接起来,再用欧姆表进行检测,就可以测出电缆是否存在开断故障.然而,这种方法有时是无法使......
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET，以及两只反馈电阻，就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出......
本文主要分析了太阳能光伏接线盒测试仪的工作原理,详细阐述了在校准领域中的技术要求,校准用设备及相应的校准方法,最后对采用的......
期刊
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能,例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管.此类新器件......
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI......
简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极......
标准的平均模型不包含各种损耗,这些损耗不仅降低转换器效率,而且也影响小信号交流响应.当得到一个与给定拓扑结构相对应的方程(例......
研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V......
