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现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟。运用双体分布函数与原子直观构型及......
半导体制冷技术应用概况rn由于早期半导体技术的限制,能量转换的效率极低,半导体制冷技术没有得到实际的应用.直到20世纪50年代后......
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率......
