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氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表,具有高击穿电场强度和高热导率等优异的物理特性,是制作高频微波器件和大功率电力电......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备”研制取得突破,我国首台具有......
众所周知,晶体三极管成品率由许多因素决定,如外延层的质量,杂质沾污,光刻质量等。本文主要讨论外延材料的缺陷对晶体三极管的影......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件......
蒋民华院士不仅是著名的教育家、科学家,也是我国产学研结合的典范。他怀揣高远的理想追求,具有开拓性的战略眼光,提早布局光电子......
从近几年的现实发展情况看,2002年前国内LED芯片完全依赖进口,2003年国家半导体照明工程启动后,GaN功率型芯片从无到有,并带动了小......
