外延工艺相关论文
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
上海2013年11月21日电——中微半导体设备有限公司(简称“中微”)的MOCVD设备Prismo D-BlueTM于本月举办的第十五届中国国际工业博......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
半导体发光二极管具有高转换效率、寿命长等优点，被认为是下一代光源并将会取代目前使用的传统光源。然而就目前发光二极管的性能来......
采用了一种无氟高分子辅助金属有机沉积法制备YBCO超导薄膜,并对YBCO的外延工艺进行系统化的研究,最终成功探究了低温外延工艺,取......
