低温生长相关论文
碳纤维增强聚合物基复合材料的破坏往往是由碳纤维与基体之间的弱界面导致的,构筑出色的界面能确保应力在纤维和基体之间连续有效......
TiO2因其优异的光催化活性、良好的化学稳定性和热稳定性以及安全无毒等特点,一直以来都是光催化领域研究的热点。然而单一TiO2存......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
多不饱和脂肪酸(polyunsaturated fatty acids,PUFAs)是指含有两个或两个以上双键且碳链长18-22个碳原子的直链脂肪酸,可以分为n-6......
Ⅲ-Ⅴ族的氮化物（GaN、AlN、InN）作为复合型的纤锌矿结构,能够形成相连接续的合金系统(InxGa1-x-x N和AlxGa1-x-x N),因此通过对其合......
硅和锗是被大家所熟知的一种半导体材料,是目前主导整个微电子工业的基石材料。锗硅合金在光电、探测、热电、高速器件等半导体器......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
氮化硼是近年来所研究的新型宽带半导体材料中一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的合成材料。它具有优异的热稳定性、化学惰......
氧化铟锡(Indium-Tin Oxide, ITO)结合了可见光范围内高透过率和高电导率的特性，主要作为防反射涂层和透明电极广泛应用于各种光电......
铁电薄膜具有优良的铁电、介电、压电、热释电等一系列特殊性能，可以利用这些特性制作不同的功能器件，人们希望通过铁电薄膜材料与其......
本文利用双氧水溶液直接氧化钛金属制备二氧化钛(TiO2)纳米线和空心多面体,研究其生长机理和光催化性能。以H2O2和冷轧纯钛片为反......
学位
该文首先介绍了半导体表面辐射THz脉冲的基本理论,然后用数值计算和Monte Carlo方法研究了以GaAs和低温生长GaAs(LT-GaAs)为衬底的......
本论文从理论和实验两方面研究了纳米硅薄膜的光学、电学特性.理论上用单电子隧穿理论研究了纳米硅薄膜的电学特性,用声子限制模型......
氧化镍(NiO)薄膜材料是一种重要的宽禁带半导体功能材料,其以优异的物理、化学、光学、电学、磁学等特性,具有重要的应用前景和价......
氧化亚铜(Cuprous oxide，Cu2O)是光学禁带宽度为2.0～2.6eV的本征p型导电的直接带隙半导体材料。因其没有污染、原材料Cu来源丰富，且Cu......
研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。......
期刊
报道用SiF4 和H2 的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅 (poly Si)薄膜 .实验发现 ,等离子体中的离子、荷电集团对薄......
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭......
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502cm?1附近散射峰的出现说明在样品中......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90......
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