测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......

半导体型非晶Fe-Si薄膜室温具有与晶体β-FeSi2相似的半导体性能,是一种低耗、高效的光伏材料。它不仅能避免β-FeSi2成分局限、制......

本文对n型非晶氧化物的制备及其在TFT器件的中的应用研究，对p型的非晶氧化物制备及其应用进行了探讨。微电子器件的透明化，柔性化是......

以六方BN和石墨粉为原料，通过机械球磨的方法制备出BCN非晶粉，对BCN非晶的成键状态和形成机理进行了实验研究． The hexagonal BN and......