外加偏压相关论文
在近年来,人们在工业生产的等离子体辅助工艺中,在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量,并且可以用......
在近年来，人们在工业生产的等离子体辅助工艺中，在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量，并且可以用此方......
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......
报道用SiF4 和H2 的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅 (poly Si)薄膜 .实验发现 ,等离子体中的离子、荷电集团对薄......
