采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)......