【摘 要】
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<正> 在金属化引线工艺中。铝层厚薄常常直接影响引线和键压的质量。铝层太厚时反刻铝容易出现锯齿条、钻蚀、连铝、断铝等情况;铝层太薄会造成压焊点脱铝,这些都会影响器件
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<正> 在金属化引线工艺中。铝层厚薄常常直接影响引线和键压的质量。铝层太厚时反刻铝容易出现锯齿条、钻蚀、连铝、断铝等情况;铝层太薄会造成压焊点脱铝,这些都会影响器件的成品率和可靠性。我们采用二次蒸铝的方法来解决以上的矛盾,第一次蒸薄铝(约6000(?)),易于光刻。第二次蒸厚铝(约1.2μm),易于压焊,在两次蒸铝之间以介质薄膜隔离,这个介质膜要求绝缘性好,化学稳定性好,低温生长,既可作第二次蒸铝的掩蔽膜,又能起表面钝化作用。采用PECVD氮化硅作这个介质膜,取得了良好的效果。
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