覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......

描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图......

得益于异质结结构，AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪......

AlGaN是制备深紫外光电器件和电子器件的重要材料. 随着Al组分的增加, AlGaN材料表面容易出现局域组分不均匀的相分离现象, 进而影......

近年来，随着对Ⅲ族氮化物发光二极管(Light emitting diodes，LEDs)研究的不断深入，高Al组分AlGaN基紫外LED (UV-LED)成为关注的热点。......

随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......

专题报告数字射线照相技术在无损检测中的应用EricDeprins(比利时)主旨报告日本科技政策、智能材料及其结构TeruoKishi(日本)超声......

AlGa基紫外探测器具有量子效率高,工作电压低并能够通过调节组分改变相应波段,在用于多光谱成像时能减少滤光片的使用,提高系统效......

利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学......

研制一种以薄的高阻AlGaN覆盖层作为肖特基势垒增强层的N?AlGaN基金属?半导体?金属（MSM）日盲紫外光电探测器。与无覆盖层的参考器件......