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[目的]人工智能、大数据等领域的发展对芯片算力和能效的要求越来越高,硅基芯片技术受到功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,面临日益......
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪......
基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应......
在传统天线设计中，高增益和小型化难以同时实现，新型碳纳米管阵列天线的提出给上述问题的解决带来了希望。根据纳米物理，在碳纳米管内......
利用两端区域为二维自由电子气,中间区域为准一维均匀直通道的简单理论模型,即2D-准1D-2D模型,研究了低温下不同纵横比(通道长宽比......
