栅氧化层相关论文
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......
作为新一代宽禁带半导体材料，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)已经展现出优良的电学、热学特性，基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高......
公开号 ＣＮ１１８８８１７Ａ 申请人 ＭＥＭＣ电子材料有限公司 地址 美国密苏里州 一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅厚度的......
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用......
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
碳化硅是一种典型的第三代半导体材料,适合用于制备高温、高压、大功率和抗辐射的电力电子器件,其金属氧化物半导体(metal-oxide-s......
随着器件尺寸的缩小,非易失性存储器和其他半导体器件一样,面临着可靠性的问题。由于EEPROM器件经常工作在高电场应力之下,与之密......
通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级......
