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针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCO......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
利用恒温氧化试验,研究了不同总氧含量的Fe-36Ni因瓦合金在1000℃和1100℃下的高温氧化行为,通过SEM分析了两种试样在不同温度下氧......
利用同步热分析仪研究了2%(体积分数)残氧气氛下硅对弹簧钢氧化速率的影响。实验表明,硅元素在1 170℃以下对氧化有阻碍作用,而1 2......
采用乙炔真空渗碳方式对服役6 a的乙烯裂解炉管合金Cr35Ni45Nb进行了加速渗碳处理,并利用SEM,XRD及定量电子探针等手段对渗碳前后......
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性.结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大......
