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本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰......
本文将介绍紫外光擦除、电可编程序“唯读”存贮器—16KEPROM 的研制概况。重点介绍器件特点及制造工艺,提供存贮单元的写入机理、......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
