【摘 要】
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随着电子技术的发展,FET已广泛地得到应用。但是由于增强型MOSFET参数不足,给电路分析带来困难。本文对增强型MOSFET的饱和漏极电流参数给出定义,并在此基础上提出这种器件在
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随着电子技术的发展,FET已广泛地得到应用。但是由于增强型MOSFET参数不足,给电路分析带来困难。本文对增强型MOSFET的饱和漏极电流参数给出定义,并在此基础上提出这种器件在饱和区的两种转移特性方程。最后举例说明增强型MOSFET放大电路的计算分析法。
With the development of electronic technology, FET has been widely used. However, due to the lack of enhanced MOSFET parameters, the circuit analysis to bring difficulties. In this paper, the definition of the saturated drain current of the enhancement MOSFET is given, and based on this, two transfer characteristic equations of the device in the saturation region are proposed. Finally, an example is given to illustrate the calculation and analysis of the enhancement mode MOSFET amplification circuit.
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