负偏压相关论文
为了解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度问题,本研究采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,以等时长、......
托卡马克聚变装置中，大破裂的避免是一个至关重要的研究课题，而撕裂模控制则又是该课题中至关重要的一部分。目前已经存在多种控制撕......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现ＣＶＤ金刚石成核不仅依赖于......
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS......
本文采用触媒CVD方法，在单晶Si和石英衬底上制备出纳米立方SiC(β-SiC)薄膜。通过控制参数，在较低的衬底温度下成功获得出(111)择优......
本文中主要阐述了通过常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积(APECVD)方法，利用硅烷(SiH4)为硅源，与氩气(Ar)、氢气(H2)按照一定配比......
以 Be为基体 ,采用磁控溅射离子镀在其上镀制 Al膜 ,研究了负偏压对 Al膜微结构的影响 ;研究表明 ,不加基体负偏压 ,Al膜在 (111)......
Gz－１－A中波广播发射机，一般都是六、七十年代的产品，在低周调幅器电路上没有采用外反馈，在元器件结构上，低前级音频变压器没有屏蔽，调整低......
利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研......
我台发射机房使用的发射机是成都6 30厂生产的1 0kW单通道彩色电视发射机,其中包括1 0W激励器、5 0W全固态功放和两级电子管放大,......
用电弧离子镀方法在高速钢、不锈钢与铜基体上沉积合成TiN／TiCN多层薄膜，在其他参数不变的情况下只改变负偏压，着重考察不同负偏压下......
研究了在低温磁控溅射沉积TiN薄膜过程中,负偏压对基体温度、薄膜表面性能、薄膜与基体界面结合强度以及摩擦学性能的影响.研究结......
用CH4,H2和NH3作为反应气体,利用等离子体增强热丝化学汽相沉积制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳......
利用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段研究负偏压对多弧离子镀制备的(Ti,Cr)N薄膜表面缺陷、表面粗糙度、化学成分、沉积速率及......
采用电弧离子镀技术在烧结钕铁硼表面沉积Al薄膜。利用表面轮廓仪、扫描电镜、激光共聚焦、电化学工作站和盐雾试验箱分析了负偏压......
