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衬底掺杂浓度相关论文
Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值......
会议
沟道长度
pMOSFET
阈值电压模型
短沟道效应
栅氧化层厚度
衬底掺杂浓度
势垒
实验结果
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