MosFET相关论文
金刚石材料具备独特的电学特性如宽禁带、高击穿场强,结合石墨烯材料优异的导电性质（如超高载流子迁移率）,可以增强金刚石表面的导电......
碳化硅（SiC）材料作为第三代宽禁带半导体材料之一,具有非常良好的物理和电学特性,在制造功率器件方面具有广阔的应用前景。与Si基MOS......
碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域......
利用SILVACO TCAD软件构建了28 nm MOSFET器件的3维结构，创建了单粒子的迁移率和载流子等仿真物理模型，仿真模拟了重离子入射位置、L......
SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分，是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础。在梳理SiC功率器件发展概况的同时，针......
由于集成电路产业的迅速发展和电力电子功率系统对高效率的要求,以碳化硅（SiC）为典型代表的第三代半导体（宽禁带半导体）引起普遍重视。......
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
针对某款轻度混合动力汽车的皮带式启动发电一体机（BSG）控制器的散热问题，利用FloEFD进行数值模拟计算得出其原平行肋片散热器方案的......
SiC材料具有宽的禁带宽度、高的临界击穿电场强度、高的饱和电子漂移速度以及高的热导率等突出特点,使其与Si材料相比,在高温、高......
本文以环境振动监测需求为背景,设计并制作基于MEMS技术晶圆级Li掺杂ZnO多层薄膜加速度传感器。构建了ZnO压电理论模型,优化了ZnO......
硅基功率器件在过去几十年里快速发展,产品不断迭代,但是这些器件正在接近由硅的基本材料所限定的性能极限,所以迫切需要一种新型......
随着当今大规模集成电路和无线通信技术的生产和使用,电子信息工业迅速崛起并成为重要高新技术产业。由于电子市场需求的爆炸增长,......
静电放电 （ESD） 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数，但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
1956年,英特人的创始人戈登·摩尔提出了摩尔定律（Moore’s law）,即集成电路上的晶体管密度每过18个月便会增加一倍。在随后的几十年......
开关电源是大多数电力电子系统的能量来源,随着电力电子技术的不断进步,低电压大电流输出的开关电源成为现今非常热门发展趋势,比......
在空间环境中,航天器内部电子器件因受到高能粒子辐射发生辐射效应而失效,导致航天器异常或故障。其中,单粒子效应是电子器件中常......
随着信息技术的飞速发展,半导体脉冲激光器被广泛应用在各个领域。由于光脉冲输出特性可以通过注入的电脉冲信号直接调制,因此电脉......
碳化硅（SiC）MOSFET器件凭借开关速度快、泄漏源电流低和功率密度高等优点,被运用于新能源汽车和国防军工等高温高压大功率的工作领域......
电子产品的发展由于功率MOS器件的出现进入到了一个节能高效的新阶段。为了进一步降低特性阻抗,提高集成度,功率MOS器件的研究重心......
随着半导体产业的不断发展以及功率半导体需求不断增加,宽禁带半导体碳化硅（SiC）功率器件能在高温、高压、高频以及复杂的辐照环境下......
万伏级超高压功率器件主要应用在高压直流输电、全电化舰船、高能激光武器等领域。尽管硅（Si）器件通过串联形式可以将模块电压做到10......
电火花加工作为特种加工的一个重要分支,非接触式的加工方式决定了其具有传统机械加工所不具备的优势,从而被广泛应用于涉及国计民......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
文章描述了MOSFET和IGBT关断特性的不同,及其对关断瞬间并联均流特性的影响.MOSFET和IGBT共有的MOS门极结构导致其在器件开通过程......
电动工具用电机正从有刷直流（BDC）转向无刷直流（BLDC）电机;工业电机需要更高能效的电机,同时需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET......
功率半导体器件作为智能功率集成电路(SmartPowerIntegratedCircuits,SPIC)和高压集成电路(HighVoltageIntegratedCircuits,HVIC)......
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Tim......
近年来，日益复杂的工况和应用环境对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求，研发具有高频......
作为新一代宽禁带半导体材料，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)已经展现出优良的电学、热学特性，基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高......
伴随着电力电子技术的发展，功率变流器的适用范围也越来越大，应用领域也逐渐增多。为了迎接新的时代，以SiC MOSFET为首的SiC宽禁带半......
近年来，随着电力电子技术的快速发展，传统的Si材料由于自身物理特性限制，以其为基底的电力电子器件已不能满足高效率、高功率密度和其......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Based Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET)......
碳化硅电力电子器件已经成为国内外研究和产业化热点,在一些应用领域正在逐步取代硅基电力电子器件。概述了碳化硅材料和器件的特......
4H-SiC功率器件作为一种宽禁带半导体器件,凭借突出的材料优势具有耐压高导通电阻低散热好等优势。近年来随着器件的逐步商用,器件......
本文阐述电子水泵主要用于降油耗。目前行业内电子水泵功率主要分布在400~600W范围,而国内电子水泵发展要落后于国外,而且在开发过......
漂移阶跃恢复二极管(DSRD)具有开关速度快、重频高、工作电流大等优点,在脉冲功率技术中很有应用前景.研究了一种基于磁饱和变压器......
电解加工作为一种特种加工工艺,在诸多行业得到广泛的应用,随着国防工业以及制造业的进一步发展,对零部件的精密度要求越来越高.高......
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速......
MOSFET是一种新型航天继电器,由于其优良的性能,目前已经逐渐代替传统的电磁继电器并广泛应用于卫星的固态功率控制模块中。由于这......
