碳化硅器件相关论文
三电平逆变器具有输出电压谐波小,等效的斩波频率高和易于实现高压大功率输出等优点,在工业界得到广泛的应用。三电平电路一般有I......
在电力电子应用中,性能优于硅功率器件的宽禁带功率器件得到广泛关注.然而,传统功率器件封装中的芯片顶部的电气互连结构现在已成......
近年来,随着半导体行业的发展,以碳化硅为代表的宽禁带材料进入人们的眼球,碳化硅器件因其耐高压、耐高温、损耗低、开关速度快等......
随着科技的发展,航天、汽车电子、智能电网等各个领域,迫切需要一种在高辐射、高功率密度、高压高频等环境下仍然能够正常工作的功......
随着不可再生资源短缺和环境污染问题的逐步加剧,电动汽车得到了快速发展。相比于电缆接触式充电,无线充电技术由于可以使得充电操......
碳化硅(SiC)材料禁带宽以及原子临界位移能高,这些特性使得SiC器件抗辐射能力强,其在空间极端环境下有很大的应用前景,因此进行SiC......
在性能上的增长,纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩,然而,对于高要求的功率开关和控制的应用上,它似乎已经到达了它的极限.......
随着全球能源的不断开发和利用,能源的高效利用越来越受到人们的关注,传统的硅基器件在大功率装置中的转换效率不断提升,目前传统......
碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料,由于其优异的性能引起了广泛关注。SiC器件相比于传统的硅基功率器件具有开关损耗小......
该文主要研究了碳化硅场效应器件的特性和器件制作的工艺技术.根据半导体器件物理理论,推导和编程计算了n沟6H-SiC MOSFET的阈值电......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
虽然对于电机控制和其他高要求的应用场合,碳化硅仍需进一步发展,但是它能提供良好的热导率、10倍的功率密度和明显比标准硅晶体管......
