功率晶体管相关论文
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
以功率晶体管ＢＵ４０６管芯为例采用背面多层电极工艺，大大提高了器件的抗热疲劳性、稳定性和可靠性。产品合格率和间歇工作寿命均达到了国内......
随着电子技术的飞速发展,大功率晶体管应用日益广泛,进一步提高大功率晶体管的可靠性,对电子产品质量的提高有很大意义。1 晶体管......
随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(GaN)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一......
德州仪器(TI)近日推出新型60V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以......
在性能上的增长,纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩,然而,对于高要求的功率开关和控制的应用上,它似乎已经到达了它的极限.......
由于晶体管的广泛应用及稳压二极管的发展,所以半导体化电源也获得了迅速的发展。近年来随着集成技术的不断发展,便使得需要处理......
本文详细报导了SP-1型片状磷源用于晶体管发射区扩散的实验方法及实验结果.实验证明片状磷源在扩散均匀性、重复性以及扩散浓度可......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
苏联很重视半导体基础理论的研究,理论研究主要是由苏联科学院担任,少部分由高等院校担任,而应用研究则主要由工业部门来担任。苏......
硅器件和集成电路中广泛使用铝实现低阻的欧姆接触和内部互连线.长期的生产和实践证明铝金属化系统是成功的.小功率晶体管以及一般......
通过对电子镇流器中开关功率晶体管筛选办法的分析 ,探讨存在的误区及解决的办法。
By analyzing the selection of switching po......
前不久，荷兰代尔夫特科技大学的研究人员开发出，用单脉冲激光直接在衬底上将液态硅墨水打印成能用在电路中的多晶硅形式。新方法直接......
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金......
对H桥结构的D类开关功率放大器的损耗进行了分析,针对由功率晶体管非理想因素引起的四种电路损耗做了详细分析和阐述,包括传导损耗......
功率晶体管(GTR)和绝缘门极晶体管(IGBT)具有控制方便、开关时间短、高频特性好、通态压降较低的特点,在变频调速和数字控制(如数......
虽然对于电机控制和其他高要求的应用场合,碳化硅仍需进一步发展,但是它能提供良好的热导率、10倍的功率密度和明显比标准硅晶体管......
