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本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
相变存储器在读写速度、功耗、成本、抗辐射性和多级存储方面相较于其他类型存储器具有明显优势,最有可能成为下一代主流半导体存......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
本文系统地研究电场辅助阳极连接的机理。在温度513K-713K区间，电压500V条件下，阳极连接了可阀（Kovar）合金/铝膜与玻璃片。对该试验提......
玻璃材料中二阶光学非线性的获得,可以将玻璃光波导器件由无源器件向有源器件扩充,使其在光通讯领域具有更为广阔的应用前景.但是,......
一种由光电阴极和多元雪崩二极管构成的混成光电探测器在几年前已研制出来.先前的研究表明,通过减少多元雪崩二极管入口处耗尽层中......
本文基于场致线性电光效应设计硅基电光调制器的电学结构,并应用ATLAS软件对这种结构的电学性能进行了仿真.综合评价MIS结构的适合......
利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜......
提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大......
